Hallo zusammen,
ich habe einige Fragen, vor allem an die Elektronik Spezialisten. Vorab: ich weiß es gibt schon unzählige Beiträge zu MOSFETS und Schalten mit GPIO generell, aber ich habe ein konkretes Beispiel und würde gern für die Zukunft klären, ob meine Überlegungen richtig waren.
Das angehängte Bild zeigt einen Schaltplan, den ich für mein 3D Drucker Gehäuse verwenden möchte. Prinzipiell soll er nachher folgende Funktionen übernehmen:
1. Interface für einen BME280
2. Schalten von bis zu 2 induktiven Lasten
3. Schalten von 2 LED Streifen ca. 1,5A (dimmen über PWM)
1. Ist nur eine 1:1 Übernahme von Steckern.
2. Sollte eigentlich auch passen (?)
3. Hier habe ich einige Fragen zu meiner Auslegung.
1kOhm Gatewiderstand um den Strom zum Laden des Gate auf 3mA zu beschränken. Dem Raspi zu Liebe. 10k Pulldown.
Der IRF7401 hat eine input kapazität von 1,6nF. Meine Annahme war jetzt, dass ich den MOSFET in ca. 8 mikrosekunden über den 1k geladen habe, und in ca. 80 mikrosekunden über den 10k entladen kann.
Jetzt zu meinen eigentlichen Fragen:
Ich möchte ein PWM Signal mit 1kHz erzeugen. Bei 1000 mikrosekunden, davon ca. 100 Schaltzeit sollte das möglich sein, oder? Die Verlustleistung am MOSFET dürfte bei 1,5A nicht all zu hoch sein.
Angenommen ich würde die Frequenz auf 10kHz oder 20 kHz anheben, müsste sich doch am MOSFET eine mittlere Spannung einstellen, oder?Wie kann ich in dem Fall abschätzen wie viel Leistung der Mosfet verbrät?
Passt das überhaupt so, was ich mir da zusaengereimt habe?
Danke vorab und schöne Nacht.
